삼성전자가 36단짜리 입체 V낸드를 양산하면서 메모리 시장에 또 하나의 획을 그을 것으로 보인다.

삼성전자의 한 고위 관계자는 “내년 말 36단 V낸드 플래시 메모리를 양산 할 것,” 이라며 이같은 계획을 밝혔다.

삼성전자는 지난 8월, 24단 3차원 수직구조 낸드 (3D Vertical NAND) 플래시 메모리 양산을 시작했다고 밝힌 바 있다.

수십억 개의 셀이 들어가는 하나의 단을 최소 24단으로 적층해야 시장성이 있다고 알려져 있으며, 삼성의 경쟁사들은 이에 어려움을 겪어 양산을 미루고 있는 상황.

삼성은 이미 24단이 가능한데 이어 36단 양산도 목표로 하고 있는 것이다.

이명진 삼성전자 경영지원실 IR 전무는 6일 열린 삼성 애널리스트 데이 행사에서 “V낸드 메모리 시장 점유율 80%를 목표로 하고 있다,” 며 V낸드에 대한 자신감을 드러냈다.

삼성전자는 내년 V낸드 시장이 기존 낸드 시장의 크기를 추월 할 것이라고 예상하고 있으며, V낸드 시장이 2017년까지 105%이상 성장할 것으로 내다보고 있다.

업계는 몇 년 전부터 수직 구조화 낸드 플래시 메모리 개발 연구를 해오고 있고, 최근 SK 하이닉스, 마이크론 등도 내년 혹은 내후년부터 V 낸드 플레시 메모리를 양산할 것이라고 밝힌 바 있다.

한편, 박성욱 SK하이닉스 사장은 지난달 24일에 있었던 반도체의 날 기념 행사에서 24단 V낸드 플래시 메모리를 양산할 준비가 되어 있다고 밝힌바 있다.

박 사장은 행사장에서 기자들에게 “우리도 삼성만큼 할 수 있다”고 밝혔다. 

또한 "내년에도 실력과 기술력을 바탕으로 시장에서 경쟁할 준비가 되어 있다" 라고 덧붙혔다.

지난달 29일 SK하이닉스 실적 컨퍼런스 콜에서 한 SK하이닉스 관계자는 늦어도 2015년에는 V낸드 양산에 돌입할 예정이라고 밝혔다.

미국 마이크론 사의 마크 더칸 (Mark Durcan) CEO는 8월 CNET과의 인터뷰에서 내년 1사분기 정도에 V낸드 플래시 메모리 샘플을 공개할 수 있을 것이라고 말했다.

V낸드 플래시 메모리는 기업용 서버나 SSD (Solid State Drive) 저장장치 등에 적용이 가능하며, 삼성은 8월 세계 최초로 V낸드 기술을 적용한 기업용 SSD 드라이브를 출시했다. (코리아헤럴드 김영원 기자)



<관련 영문 기사>



Samsung vows to widen gap with chip rivals



By Kim Young-won



Samsung Electronics, the world’s largest memory chipmaker, vowed to take a solid lead in the global memory market with its advanced vertical NAND flash memory technology, based on plans to unveil 36-layer V-NAND flash memory chips next year.

“Samsung will definitely, if we can, enjoy an 80 percent market share,” said Robert Myung Yi, senior vice president of Samsung Electronics’ investor relations team, on Wednesday at Samsung Analyst Day 2013, where the company laid out its mid- and long-term strategies to investors and analysts.

A top executive from Samsung told The Korea Herald that “3-D NAND flash memory stacking 36 layers of memory cells will be mass produced by the latter half of next year.”

Samsung is currently the sole producer of V-NAND flash memory chips with 24 layers of cells.

This level of stacking is deemed sufficient to make the product profitable, according to Samsung.

In terms of V-NAND market share, Yi said the firm would not just pursue higher market share, but also make efforts to secure a high profit margin as well as balance supply between the planar NAND flash memory and V-NAND flash memory. V-NAND chips’ 3-D structure gives them a higher density and capacity than their 2-D rivals.

The Korean electronics giant expects the 3-D NAND market to grow 105 percent every year until 2017, and its market size to exceed that for planar NAND flash chips next year.

Stacking memory cells is a core technological issue for chipmakers, including Samsung’s local rival SK Hynix and U.S. chipmaker Micron Technology.

Despite their technology for the V-NAND, other chipmakers have yet to start mass producing 3-D memory chips due in part to underachievement in cell stacking.

SK Hynix CEO Park Sung-wook said in October that his firm, the world’s second-largest memory chipmaker, would be able to stack as many as 24 layers next year, adding, “We can do as well as Samsung.”

In an earnings conference call later in the month, the firm announced that it would be able to start producing 3-D NAND flash memory either in the second half of next year or in 2015.

Global competitors have also announced they would jump into the race for V-NAND production.

Micron CEO Mark Durcan told tech news outlet CNET in August that his company would start providing samples of 3-D NAND to customers in the first quarter of 2014.

Producers are competing to scale down planar NAND flash memory, still the top product in the chip market.

After the technology proceeded to the 10 nanometer-class chip and beyond, the chipmakers faced more cell-to-cell interference, which risks the reliability of NAND flash memories.

The 3-D NAND could be used for a wide range of equipment and devices including enterprise servers and solid-state drives.

Samsung launched a V-NAND-based enterprise SSD in August.

(wone0102@heraldcorp.com)